Wolfspeed-მა 200 მმ-იანი სილიციუმის კარბიდის ვაფლების კომერციული გაშვება გამოაცხადა

Wolfspeed ასევე გთავაზობთ 200 მმ SiC ეპიტაქსიას დაუყოვნებლივი კვალიფიკაციისთვის, რომელიც, 200 მმ-იან შიშველ ვაფლებთან შეხამებისას, უზრუნველყოფს გარღვევის ნიშნით მასშტაბირებას და გაუმჯობესებულ ხარისხს, რაც შესაძლებელს ხდის მაღალი ხარისხის სიმძლავრის მოწყობილობების ახალი თაობის შექმნას.

„Wolfspeed-ის 200 მმ SiC ვაფლები უბრალოდ ვაფლის დიამეტრის გაფართოებაზე მეტია - ისინი წარმოადგენენ მასალების ინოვაციას, რომელიც ჩვენს მომხმარებლებს საშუალებას აძლევს, თავდაჯერებულად დააჩქარონ თავიანთი მოწყობილობების შექმნის გეგმა“, - ამბობს დოქტორი ჯენგიზ ბალკასი, ბიზნეს დირექტორი. „მასშტაბიანი ხარისხის მიწოდებით, Wolfspeed ელექტრონიკის მწარმოებლებს საშუალებას აძლევს დააკმაყოფილონ მზარდი მოთხოვნა უფრო მაღალი ხარისხის, უფრო ეფექტური სილიციუმის კარბიდის გადაწყვეტილებებზე“.

Wolfspeed-ის თქმით, 200 მმ SiC შიშველი ვაფლების გაუმჯობესებული პარამეტრული სპეციფიკაციები 350 µm სისქით და 200 მმ ეპიტაქსიის გაუმჯობესებული, ინდუსტრიაში წამყვანი დოპირება და სისქის ერთგვაროვნება მოწყობილობების მწარმოებლებს საშუალებას აძლევს გააუმჯობესონ MOSFET-ის მოსავლიანობა, დააჩქარონ ბაზარზე გამოსვლის დრო და შესთავაზონ უფრო კონკურენტუნარიანი გადაწყვეტილებები საავტომობილო, განახლებადი ენერგიის, სამრეწველო და სხვა სწრაფად მზარდი აპლიკაციებისთვის. 200 მმ SiC-ის ეს პროდუქტისა და მუშაობის გაუმჯობესება ასევე შეიძლება გამოყენებულ იქნას 150 მმ SiC მასალების პროდუქტების უწყვეტი შესწავლისთვის.

„ეს წინსვლა ასახავს Wolfspeed-ის დიდი ხნის ერთგულებას სილიციუმის კარბიდის მასალების ტექნოლოგიის საზღვრების გაფართოების მიმართ“, - ამბობს ბალკასი. „ეს გაშვება აჩვენებს ჩვენს უნარს, განვჭვრიტოთ მომხმარებლის საჭიროებები, გავზარდოთ მოთხოვნა და შევქმნათ მასალების საფუძველი, რომელიც შესაძლებელს გახდის ენერგიის უფრო ეფექტური გარდაქმნის მომავალს“.